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功能簡(jiǎn)介

設(shè)備簡(jiǎn)介1．產(chǎn)品位置糾偏抓取，自動(dòng)識(shí)別正反;2.自動(dòng)測(cè)試，良品/不良品分類;3.換產(chǎn)只需更換對(duì)應(yīng)的工裝;4．儀器功能可拓展;5．絕緣電阻≥1X109/Q,DC500V;

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設(shè)備簡(jiǎn)介IGCT（IntergratedGateCommutatedThyristors）是在晶閘管技術(shù)的基礎(chǔ)上結(jié)合IGBT和GTO等技術(shù)開發(fā)的新型器件，適用于高壓大容量變頻系統(tǒng)中，是一種用于巨型電力電子成套裝置中的新型電力半導(dǎo)體器件。

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KC3110功率半導(dǎo)體高精度靜態(tài)特性測(cè)試系統(tǒng)，基于全新三代半SiC, GaN器件和模塊以及車規(guī)級(jí)模塊的新興要求而進(jìn)行的一次高標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品開發(fā)。本系統(tǒng)可以在3KV和1000/2000A的條件下實(shí)現(xiàn)精確測(cè)量和參數(shù)分析，漏電流測(cè)試分辨率高達(dá)fA級(jí)，電壓測(cè)試分阱率最高可這nV級(jí)，以及3000V高壓下的寄生電容的精密測(cè)量。全自動(dòng)程控軟件，圖型化上位機(jī)操作界面。內(nèi)置開關(guān)切換矩陣保證測(cè)試效率。模塊化結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)預(yù)留升級(jí)擴(kuò)展?jié)撃堋y(cè)試接口可外掛各類夾具和適配器，還能夠通過專用接口連接各種Handler：如分選機(jī)、機(jī)械手、探針臺(tái)、編帶機(jī)等。

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設(shè)備簡(jiǎn)介KC3120功率半導(dǎo)體動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)可針對(duì)各類型 GaN、Si基及SiC基二極管、 MOSFET、IGBT 等分立器件的各項(xiàng)動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試，如開通時(shí)間、關(guān)斷時(shí)間、上升時(shí)間、下降時(shí)間、導(dǎo)通延遲時(shí)間、關(guān)斷延遲時(shí)間、開通損耗、關(guān)斷損耗、柵極總電荷、柵源充電電量、平臺(tái)電壓、反向恢復(fù)時(shí)間、反向恢復(fù)充電電量、反向恢復(fù)電流、反向恢復(fù)損耗、反向恢復(fù)電流變化率、反向恢復(fù)電壓變化率、輸入電容、輸出電容、反向轉(zhuǎn)移電容、短路。通過更換不同的測(cè)試單元以達(dá)到對(duì)應(yīng)測(cè)試內(nèi)容，通過軟件切換可以選擇測(cè)試單元、測(cè)試項(xiàng)目及配置測(cè)試參數(shù)、 讀取保存測(cè)試結(jié)果。

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設(shè)備簡(jiǎn)介KC3111功率半導(dǎo)體高精度靜態(tài)特性測(cè)試系統(tǒng)（面向工廠生產(chǎn)端），基于全新三代半SiC, GaN器件和模塊以及車規(guī)級(jí)模塊的新興要求而進(jìn)行的一次高標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品開發(fā)。脈沖信號(hào)源輸出方面，高壓源標(biāo)配2000V（選配3.5KV）,高流源標(biāo)配1KA（選配4KA多模塊并聯(lián)）,柵極電壓30V。采用多量程設(shè)計(jì)架構(gòu)，各量程下均可保證0.1%精度，具有uΩ級(jí)精確測(cè)量，pA 級(jí)漏電流測(cè)量能力。全自動(dòng)程控軟件，圖型化上位機(jī)操作界面。內(nèi)置開關(guān)切換矩陣保證測(cè)試效率。模塊化結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)預(yù)留升級(jí)擴(kuò)展?jié)撃?。測(cè)試接口可外掛各類夾具和適配器，還能夠通過專用接口連接各種Handler：如分選機(jī)、機(jī)械手、探針臺(tái)、編帶機(jī)等。

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KC-3105 測(cè)試系統(tǒng)中可同時(shí)完成HTRB和DHTRB測(cè)試，整體架構(gòu)模塊化，通訊協(xié)議、通訊接口等采用統(tǒng)一標(biāo)準(zhǔn)，便于后期擴(kuò)展和維護(hù)。該系統(tǒng)集成度高、應(yīng)用覆蓋面廣，系統(tǒng)采用軟、硬件一體化設(shè)計(jì)且功能豐富，在保證系統(tǒng)穩(wěn)定運(yùn)行的同時(shí)，可以快速滿足功率半導(dǎo)體可靠性測(cè)試需求。